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离子注入件8
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离子注入件8
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名称:离子注入件

相对密度:≥99%

规格:来图定制生产。

产品描述:

离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术,其利用离子注入机实现半导体的掺杂,即使用钨丝作为阴极发射电子轰击含有特定的杂质元素的气体分子,产生电离的特定杂质原子经静电场加速后打到硅单晶圆片表面,并打入半导体内部,改变导电特性并最终形成晶体管结构。


由于在离子转换为电浆离子时,会产生2000℃以上的工作温度,离子束喷发时,也会产生很大的离子动能,一般金属会很快烧熔,因此需要质量密度较大的惰性金属,以维持离子束喷发方向,并增加组件耐用度,钨钼是必选材料。由于钨钼材料高温化学性质稳定、热变形小和使用寿命长等优点,因此半导体行业离子注入机离子源件及耗件多采用钨、钼材料制造,这些器件包括发射电子阴极的屏蔽筒、发射面板、中心固定杆、起弧室内的丝极板等,我们统称为离子注入用钨零件和离子注入用钼零件


离子注入用钨零件所用材料经过对传统钨钼材料工艺进行优化,包括细晶化、合金化处理,真空烧结和热等静压烧结致密化,二次晶粒细化控轧技术,普遍提高传统钨钼材料的寿命、耐高温及抗蠕变性能

我公司生产的离子注入用钨零件晶粒度细化,相对密度≥99%高温力学性能指标比普通钨材料明显提高使用寿命也明显延长

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